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埋氧层固定电荷对SOI高压器件击穿电压的影响

上传者: 2020-04-29 06:48:10上传 PDF文件 339.81KB 热度 21次
埋氧层固定电荷对SOI高压器件击穿电压的影响,郭宇锋,张波,本文通过求解具有界面电荷边界条件的二维泊松方程,建立了埋氧层固定界面电荷Qf对RESURFSOI功率器件二维电场和电势分布影响的解析模
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