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论文研究SOI线性掺杂LDMOS的设计与实验 .pdf

上传者: 2020-03-05 00:16:15上传 PDF文件 315.22KB 热度 20次
SOI线性掺杂LDMOS的设计与实验,顾志华,荣国光,SOILDMOS是通过将电压降转嫁到漂移区上来实现耐高压的。在实际工程应用中,我们考虑的是如何用最简单的工艺流程,得到尽可能高的击
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