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论文研究应变SiGe SOI pMOSFET温度特性研究 .pdf

上传者: 2020-06-03 12:20:48上传 PDF文件 338.84KB 热度 18次
应变SiGeSOIp-MOSFET温度特性研究,高勇,刘静,SiGeSOIp-MOSFET在高频、高速、低功耗、抗辐射方面具有极大的优势。但二氧化硅埋层较低的热导率以及SiGe材料较低的热稳定性,使得器件
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