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论文研究原子层沉积生长Al2O3薄膜表面钝化机理的研究 .pdf

上传者: 2020-04-20 00:56:57上传 PDF文件 601.5KB 热度 24次
原子层沉积生长Al2O3薄膜表面钝化机理的研究,孙平杨,张炳烨,本文采用原子层沉积(ALD)方法在不同导电类型的制绒单晶硅(c-Si)表面生长一层23nm厚的Al2O3薄膜。Al2O3薄膜结构利用场发射扫描显微镜(FESEM)
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