等离子体增强原子层沉积生长N掺杂Cu2O 薄膜及其物性研究 上传者：friend_do 2020-07-21 03:12:13上传 PDF文件 730.02KB 热度 54次 等离子体增强原子层沉积生长N掺杂Cu2O 薄膜及其物性研究，李微，潘景薪，本文采用等离子体增强原子层沉积技术（PEALD）以NH3为掺杂源对Cu2O薄膜材料进行了N掺杂实验，并对N掺杂后的样品进行了X射线光电子能谱 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
