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射频磁控溅射司太立合金淀积薄膜的主要元素成份测量(1993年)

上传者: 2024-07-08 23:47:57上传 PDF文件 131.61KB 热度 1次
采用组份均匀薄膜近似,对射频磁控溅射的司太立沉积薄膜进行了背散射测量,结果发现薄膜中钨的含量与司太立靶材相一致,表明采用该工艺直接由司太立靶材制备司太立薄膜是可行的。
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