silvaco实验仿真：MOSFET正反向导通和阈值电压的仿真曲线及氧化层厚度、p区掺杂浓度的影响
silvaco实验仿真研究了MOSFET器件的正向导通、反向导通以及阈值电压的仿真曲线。在此基础上，探讨了不同氧化层厚度和p区掺杂浓度对器件性能的影响。内容中包括相关源码以及对特性仿真曲线的详细分析。
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