论文研究 正背栅SOI MOSFET二维阈值电压解析模型 .pdf 上传者：houguof 2020-07-16 23:28:47上传 PDF文件 490.85KB 热度 35次 正背栅SOI-MOSFET二维阈值电压解析模型，邵隽，张国和，通过建立沟道区域和埋氧区域的二维泊松方程，并考虑衬底区域的掺杂和背栅偏压对器件阈值电压的影响，得到了一种正背栅全耗尽SOI-MO 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
