论文研究 正背栅SOI MOSFET二维阈值电压解析模型 .pdf 上传者：houguof 2020-07-16 23:28:47上传 PDF文件 490.85KB 热度 10次 正背栅SOI-MOSFET二维阈值电压解析模型，邵隽，张国和，通过建立沟道区域和埋氧区域的二维泊松方程，并考虑衬底区域的掺杂和背栅偏压对器件阈值电压的影响，得到了一种正背栅全耗尽SOI-MO 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 houguof 资源：19592 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
