电子测量中的一种测量外延层厚度及掺杂浓度的改进方法

刘志农, 熊小义, 付玉霞, 张伟, 陈培毅, 钱佩信(清华大学微电子所,北京 100084)摘要:在双台面SiGe HBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区,必须严格控制发射极台面的高度,从而必须准确知道未刻蚀前的厚度和刻蚀后的厚度。现有的许多对材料厚度及掺杂浓度的分析方法,具有各自的优缺点。本文提出了一种可以同时检测外延层的厚度及掺杂浓度分布的方法,这种方法具有简单、高效、低成本的优点。 关键词:EFL;线性拟合;RIE;四探针 中图分类号:TN304 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2003)11-