电源技术中的MOS管的阈值电压探讨

MOS管的阈值电压等于backgate和source接在一起时形成channel需要的gate对source偏置电压。如果gate对source偏置电压小于阈值电压,就没有channel。一个特定的晶体管的阈值电压和很多因素有关,包括backgate的掺杂,电介质的厚度,gate材质和电介质中的过剩电荷。每个因素都会被简单的介绍下。 Bakegate的掺杂是决定阈值电压的主要因素。如果backgate越重掺杂,它就越难反转。要反转就要更强的电场,阈值电压就上升了。MOS管的backgate掺杂能通过在gate dielectric表面下的稍微的implant来调整。这种implant被叫做阈值