MOS晶的阈值电压VT

阈值电压VT是MOS晶体管的一个重要的电参数,也是在制造工艺中的重要控制参数。VT的大小以及一致性对电路乃至 集成系统的性能具有决定性的影响。哪些因素将对MOS晶体管的阈值电压值产生影响呢? 阈值电压的数学表达式是: 式中±号对NMOS管取负号,而对PMOS管取正号。 式中 Qox 为栅氧化层中固定正电荷密度; Qss为栅氧化层中可动正电荷密度; Cox为单位面积栅氧化层电容,与栅氧化层厚度tOX成反比; QB为衬底掺杂杂质浓度(耗尽层中电荷 ),NMOS管采用P型硅为衬底,