具有p AlGaN / InGaN超晶格中间层的蓝色InGaN发光二极管的研究

蓝色InGaN发光二极管(LED) 提出并研究了采用晶格补偿的p-AlGaN / InGaN超晶格(SL)中间层连接最后一个量子势垒和电子阻挡层(EBL)的方法数值上。 仿真结果表明设计的LED具有更好的空穴注入效率,更低的电子泄漏,以及常规LED上有源区中较小的静电场,这主要归因于减轻极化引起的向下带弯曲。 此外,显着提高了输出功率和当常规与实验数据相对应的LED被替换为新设计的LED。