镧掺杂BaSnO3 薄膜的电学和光学特性

利用射频磁控溅射法在(LaAlO3)0:3(SrAl0:5Ta0:5O3)0:7 (001) 单晶基底上生长了镧掺杂BaSnO3 外延薄.膜. 通过Hall 效应和热电势测量证实了镧掺杂BaSnO3 薄膜具有n 型简并半导体特征, 并且基于载流子浓度.和Seebeck 系数计算出电子的有效质量为0.31m0 (m0 为自由电子质量). 镧掺杂BaSnO3 薄膜在可见波段具.有良好的透明性(透过率大于73%). 基于介电模型对薄膜的透过率曲线进行拟合, 从拟合结果中不仅得到了.薄膜的厚度为781.2 nm, 能带宽度为3.43 eV、带尾宽度为0.27 eV 和复光学介电常数随波长的变化规律, 而且.也强力地支持了基于电学参数计算电子有效质量的正确性.