La掺杂BaSnO3薄膜的有效质量和纳米级电传输的测定

通过射频(RF)磁控溅射技术在(LaAlO3)0.3(SrAl0.5Ta0.5O3)0.7(001)衬底上生长外延掺杂La的BaSnO3薄膜。 通过霍尔效应测量在掺La的BaSnO3薄膜中展示了n型简并半导体,并根据塞贝克系数和载流子密度的组合确定了其电子有效质量〜0.396m0(m0,自由电子质量)。 。 此外,使用导电原子力显微镜测得的局部电流-电压曲线表现出非线性特性,并且发现在高偏压下的传输机理是Fowler-Nordheim隧穿。