掺入参数对金属有机化学气相沉积法生长的蓝紫色InGaN / GaN多量子阱电致发光的影响

研究了可在金属有机化学气相沉积(MOCVD)过程中改变In的掺入并影响蓝紫色InGaN / GaN多量子阱(MQW)的电致发光(EL)性能的生长参数。 发现在InGaN阱生长期间适当增加三甲基铟(TMIn)通量可以增加EL强度和EL峰值波长。 然而,当阱的生长温度从810°C降低到800°C时,尽管EL峰值波长增加,但是EL强度降低。 X射线衍射结果表明,界面粗糙度在确定InGaN / GaN MQWs的EL强度中起着重要作用。 建议通过适当增加TMIn通量并在相对较高的生长温度下生长具有高结构质量的蓝紫色MQW。