雪崩光电探测器结构和能带

在波长为1.55 gm的长波长区域,由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题,人们便转向使用InP基材料。在InP衬底上生长InGaAsP,通过调整化合物组分含量使它能在1.2~1.6 gm波长范围内工作。图1所示是早出现的InGaAsP/InP雪崩光电探测器结构和能带示意图LZII。在p+-InP上生长n-InGaAsP,再通过衬底注入锌形成InGaAsP的pn结,覆盖一层n-InP。这种衬底和表面层都是宽禁带低阻层结构减小了串联电阻,阻止了光生载流子向表面扩散引起的复合。