连续退火对ZnO基金属 半导体 金属紫外光电探测器性能的影响

在这项研究中,金属-半导体-金属(MSM)肖特基紫外(UV)光电探测器基于c轴首选取向的氧化锌(ZnO)膜,该膜是通过射频(RF)磁控溅射技术在石英基板上制备的。 MSM器件退火后,光电探测器的响应度大大提高。 同时,由实验引起的暗电流的增加伴随着退火温度的升高。 结合暗电流和响应性的观察,初步讨论了其起源。 根据金属-半导体接触理论和扩散效应,提出了连续退火的物理机理。 通过该模型,来自电极的金原子在退火过程中在肖特基势垒中起着重要作用。 这些结果表明,通过使器件退火,可以容易地实现改善光电检测器的响应性的简单途径。