基于硅基CMOS工艺的集成光电探测器

CM0S工艺是为重要的微电子制造技术,具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通常采用单阱工艺,单阱工艺只含一个阱(N阱或者P阱)。若为P型衬底则将NMOS直接制作在衬底上,而将PMOS寺刂作在N阱中;若为N型衬底则将NM0S制作在P阱中,而将PMOS直接制作在衬底上。为了减少闩锁效应(latch-up)及独立优化N沟和P沟器件,人们采用双阱工艺。图1所示为双阱CMOS,包含N阱、P阱、局部氧化硅(LOCal Oxidation of Silicon,Locos)隔离、N+多晶硅栅,以及源漏区。典型的双阱CMOS工艺包括以下几步: (1)轻掺杂深度扩散形成N阱和P阱。N阱