薄膜栅SOI横向PIN光电探测器的电流 电压模型的分析和仿真

基于半导体器件的结构和方程,我们分析了薄膜栅极绝缘子(SOI)横向PIN(LPIN)光电探测器的工作原理,并获得了电流-电压模型。 凭借800 nm的膜厚和8μm的沟道长度,我们通过二维(2D)Atlas数值测量和电仿真(包括载流子分布和电流-电压特性)来验证这些模型。 在完全耗尽的条件下,我们的结果预测,在400 nm波长下,内部量子效率高达97%,在1 pA左右的暗电流非常低,而在低电流的情况下,照亮电流与暗电流之间的比率超过10(7)。电压操作。 通过优化光电探测器的性能,我们的模型在光学存储系统中具有极高的潜力。