SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成

成熟的CMOS 技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III~V 族半导体材料。综述了近期III~V 族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术,按键合材料的不同分为无机和有机材料键合。着重分析了各种InGaAs/InP 光电探测器与SOI 波导集成的光耦合方案,并对其优缺点进行对比。同时给出设计的一种倏逝波耦合的InGaAs/InP 光电探测器,用时域有限差分(FDTD)法对器件光学特性进行了模拟,以SOI 上有机键合的方式,获得95%的探测器吸收效率,表明该SOI 波导集成的光电探测器可实现小体积、低损耗及高响应度的光探测,符合片上光互连