热退火对氮化镓金属 半导体 金属结构紫外光电探测器性能的影响

采用金属有机气相外延的方法制备高质量氮化镓薄膜。采用真空热蒸发的方法蒸镀一层金膜,通过传统紫外曝光及湿法腐蚀的方法,制备得到具有金属半导体金属(MSM)结构的紫外光电探测器。通过对器件进行不同温度不同时间的热退火处理,使器件的性能得到了改善。在3 V偏压下,器件的暗电流仅为200 pA,响应度的峰值出现在362 nm处,其对应的探测率为1.2×1011cm·Hz1/2/W。对器件性能影响的形成机理进行了深入分析,主要归因于热处理将Au原子引入到薄膜中。