工艺参数下光电探测器的器件模拟

图1 TSMC 0.35pm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟 图1(a)模拟了工作二极管响应电流与外加反压的关系曲线,三条曲线分别为无光照、光照强度分别为1WZcm2、25w/cm2,光波长为0.85gm时工作二极管的响应电流,以二极管面积为20×20 ptm'计算,输入光功率分别为4 pW(-23 dBm)和100 pW(-10 dBm),图中可见无光照的响应电流(对应暗电流)约为10-15A数量级,光照强度为1 Wcm2时产生0.16 μtA光电流,响应度为0.04 A/W。光照强度为25 W;cm'时产生4.8 pA光电流,响应度为0.048 A/W。后者完够满足CMO