基于硅基双极型工艺的光电探测器

目前,长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的,其传输速率已经超过了40 Gb/s,然而,Ill-V族材料的光接收器和OEIC价格昂贵,对于短距离数据传输的应用,例如局域网、光纤入户和板级光互连等并不适合。随着信息技术的不断进步,对于光信息存储、光数据传输等应用,需要有大量低成本的光电集成电路(OEIC)投入使用。利用普通的硅基集成电路生产技术,在对这些工艺几乎不作改动或者是仅仅作微小调整的基础上,将光电子器件与电信号处理电路集成在一起,无疑是为理想的光电集成方式。目前硅基集成电路技术主要可分为双极bipolar、CMOS及BiCMOS工艺。本节介绍利用双极工艺实现的硅基