Mechanisms of trapping effects in short gate GaN based high electron mobility tr 上传者：腾飞软件工作室 2021-02-21 08:02:29上传 PDF文件 2.25MB 热度 41次 Mechanisms of trapping effects in short-gate GaN-based high electron mobility transistors with pulsed I-V measurement 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
