Ag In Te Sb O薄膜光学及短波长静态记录特性的研究

以Ag-In-Te-Sb合金靶采用射频反应溅射在不同氧分压下制备了单层Ag-In-Te-Sb-O薄膜。对薄膜的反射光谱及光学常数(n,k)的研究结果表明:在分压比PO2/PAr=2%~4%时制备的薄膜反射率较高,氩气保护下在300°C退火30min后,在500~700nm波长范围薄膜反射率增长可达17%~25%;分压比PO2/PAr=2%时,薄膜在400~650nm波长范围有较强吸收,光学常数在退火前后也有较大差别。对薄膜静态记录性能的测试结果表明:记录功率为10mW,脉宽为100ns时,薄膜在记录前后反射率对比度高达20%,具有良好写入灵敏性。连续多次进行写入/擦除循环,擦除前后反射率对比度稳