退火工艺对含硅量子点SiCx薄膜光谱特性的影响

采用磁控共溅射法并结合微波退火和快速光热退火工艺, 在不同退火温度下制备了含硅量子点的富硅SiCx薄膜。采用掠入射X射线衍射(GIXRD)、拉曼光谱和光致发光(PL)光谱技术对薄膜进行了表征, 研究了退火工艺对薄膜中硅量子点数量、尺寸、晶化率以及发光峰的影响。结果表明:与快速光热退火相比, 微波退火不但能降低硅量子点的形成温度(降低200 °C), 而且还能降低β-SiC量子点的形成温度(降低100 °C); 在相同退火温度下, 微波退火制备的硅量子点的数量更多、晶化率更高、光致发光峰更强; 采用1000 °C温度的微波退火样品的硅量子点数量最多、尺寸最大(5.26 nm)、晶化率最高(74.25%