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光热退火的光量子效应对富硅氮化硅薄膜特性的影响

上传者: 2020-05-14 06:14:42上传 PDF文件 784.72KB 热度 34次
光热退火的光量子效应对富硅氮化硅薄膜特性的影响,陈小波,杨培志,采用双极脉冲和射频磁控共溅射沉积法,在单晶硅衬底和石英衬底上制备富硅SiNx薄膜.为了比较,在氮气氛围中,于950-1100℃温度下分别�
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