退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响

退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响 李 忠1,赵 显2,李玉国1,薛成山1 (1.山东师范大学物理与电子科学学院,山东 济南 250014;2.山东大学晶体材料国家重点实验室,山东济南 250100) 摘要: 获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为1 000°C样品具有最强的发射强度。认为经碳注入所引入的杂质C = O复合体是发光的重要因素;经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形成纳米硅镶嵌结构,因量子限制效应–表面复合效应而发光。 关键词: 注碳外延硅;蓝光发射;纳米硅镶嵌结构;氮气氛中退火 中图分类号: TN304