氢化非晶硅薄膜的光谱椭偏研究

氢化非晶硅 (a-SiH) 薄膜在微电子和光电子工业中有着重要的应用,而椭偏分析技术是一种重要的薄膜表征手段。利用椭偏测量技术并采用Tauc-Lorentz(TL)模型和Forouhi-Bloomer(FB)模型,从不同角度对比研究了a-SiH薄膜的结构和光学特性。分析结果表明,用两种不同模型得到的a-SiH薄膜厚度、粗糙层厚度以及光学常数并不一致,由TL模型得到的薄膜厚度更接近扫描电镜 (SEM) 测量的结果,粗糙层厚度更接近原子力显微镜(AFM)测量结果对应的经验值。结合已发表的文献,分析发现膜厚差异主要来自于模型对薄膜光学参数的不同描述,而光学参数的差异是由于模型推导过程中的不同假设和数