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React性脉冲激光烧蚀制备的发光氢化纳米非晶硅薄膜

上传者: 2021-02-25 05:55:11上传 PDF文件 960.88KB 热度 19次
通过以氢为React气体的React性脉冲激光烧蚀技术制备了氢化的纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜。 发现氢气压力对薄膜的结构和光致发光(PL)性能都有很大影响。 氢压力的增加导致膜从无定形的硅向na-Si:H的结构转变,并且na-Si:H膜的PL中心波长随氢压力而变化。 na-Si:H薄膜的PL衰减时间在纳秒级,在PL光谱的高能侧较短。 结果表明,na-Si:H膜是可见光,可调光和高性能发光器件的有前途的候选者。
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