Si基Ge薄膜共振腔增强型光电探测器的设计与模拟

设计了Si 衬底上Ge 薄膜共振腔增强型光电探测器的器件结构,理论计算了上下反射镜Si/SiO2的对数、吸收区Ge薄膜的厚度、有源区面积等参数对器件的外量子效率、带宽等性能的影响。当器件上下反射镜Si/SiO2的对数分别为2 和3,Ge 薄膜的厚度为0.46 μm ,器件的台面面积小于176 μm2 时,探测器在中心波长1.55 μm 处的外量子效率达到0.64,比普通结构提高了30 倍,同时器件的带宽达到40 GHz。