硅 硅直接键合机制

对于抛光的硅片的表面,一般存在10~60Å的本征氧化层,并且在亲水活化处理的过程中,表面也会由于强氧化剂的作用生成一层本征氧化层,所以抛光硅片与氧化硅片的键合过程基本相似。硅-硅直接键合的机理目前已进行了较多的研究[4~8],整个键合机理可用三个或四个阶段的键合过程进行描述,这里用四个键合阶段对键合机理进行描述: 第一阶段,从室温到200°C,两硅片表面吸附OH团,在相互接触区产生H键,随着温度的升高,OH团因得到热能而增大迁移率,表面H键形成的几率也随着增大,因而键合的硅片的相互作用力增大,硅片表面产生弹性变形,键合面积增加,键合强度也增加。 第二阶段,200°C~500°C,形成H键的两个硅片的