硅 硅直接键合的界面应力

键合过程引入的应力主要是室温下两硅片面贴合时因表面起伏引起的弹性应力、高温退火阶段由于两个硅片的热膨胀系数不同引起的热应力、以及由于界面的本征氧化层或与二氧化硅键合时二氧化硅发生粘滞流动引起的粘滞应力。另外,键合界面的气泡、微粒和带图形的硅片键合都会引入附加的应力。在贴合工艺中引起的界面应力主要是弹性应力,在高温退火工艺中引起的主要是热应力和塑性应力。