硅 硅直接键合杂质分布模型

硅-硅直接键合杂质分布模型 在键合过程中,为了使两抛光硅片在室温下良好地贴合在一起,先对硅片进行表面处理,使表面生成一薄层本征二氧化硅以吸附OH集团,界面上的羟基(-OH)发生聚合反应生成二氧化硅,Si-OH+OH-Si→Si-O-Si+H2O。因此键合硅片界面有氧化层存在。实验证明,氧化层厚度在200-600°C范围内随温度升高而降低,600-1200°C范围内,厚度恒定[2] 。因此,硅-硅直接键合的物理模型如图3.5所示,两硅片中间存在厚度一定的本征二氧化硅层。设两键合硅片初始时为均匀掺杂,杂质浓度分别为C0、C1,中间本征氧化层的厚度为d,从左向右的三个区域Si、SiO2、Si用I、