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NTD2955T4G的技术参数

上传者: 2020-12-13 08:23:55上传 PDF文件 26.11KB 热度 9次
产品型号:NTD2955T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):180最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:P沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-55 ~150描述:-60 V, -12 A功率MOSFET价格/1片(套):¥3.00
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