NTD4302T4G的技术参数

产品型号:NTD4302T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10最大漏极电流Id(on)(A):68通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-55 ~150描述:68A, 30V功率MOSFET价格/1片(套):¥6.60