NTD2955的技术参数
产品型号:NTD2955源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:P沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~150描述:-0.4A,-20V功率MOSFET价格/1片(套):¥3.00
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