NTD3055 150T4G的技术参数

产品型号:NTD3055-150T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):9通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-55 ~150描述:60 V, 9.0 A功率MOSFET价格/1片(套):¥2.35