NTHD3100CT1G的技术参数

产品型号:NTHD3100CT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):3.900通道极性:N/P沟道封装/温度(°C):ChipFET /-55~150描述:20 V, +3.9 A/-4.4 A功率MOSFET价格/1片(套):¥2.80