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NTHD3101FT3G的技术参数

上传者: 2020-12-13 11:02:58上传 PDF文件 26.83KB 热度 5次
产品型号:NTHD3101FT3G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):4.400通道极性:P封装/温度(°C):ChipFET/-55~150描述:20V,4.4A,P沟道MOSFET,带肖特基二极管价格/1片(套):暂无
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