NTHD4502NT1G的技术参数

产品型号:NTHD4502NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85最大漏极电流Id(on)(A):3.900通道极性:N封装/温度(°C):ChipFET/-55~150描述:30V,3.9A,N沟道双MOSFET价格/1片(套):暂无