NTB65N02R的技术参数 上传者：碎丰籽 2020-12-13 02:30:09上传 PDF文件 25.61KB 热度 28次 产品型号:NTB65N02R源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.200最大漏极电流Id(on)(A):65通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55~150描述:65A,24V功率MOSFET价格/1片(套):¥6.40 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
