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NTB65N02R的技术参数

上传者: 2020-12-13 02:30:09上传 PDF文件 25.61KB 热度 3次
产品型号:NTB65N02R源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.200最大漏极电流Id(on)(A):65通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55~150描述:65A,24V功率MOSFET价格/1片(套):¥6.40
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