NTB13N10的技术参数
产品型号:NTB13N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):-最大漏极电流Id(on)(A):13通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55~175描述:13A,100V功率MOSFET价格/1片(套):¥4.80
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