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NTD65N03RG的技术参数

上传者: 2020-12-13 02:28:52上传 PDF文件 26.11KB 热度 11次
产品型号:NTD65N03RG源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8.400最大漏极电流Id(on)(A):65通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55~175描述:25V,65A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无
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