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NTD3055L170的技术参数

上传者: 2020-12-13 06:34:21上传 PDF文件 26.33KB 热度 8次
产品型号:NTD3055L170源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):170最大漏极电流Id(on)(A):9通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~175描述:9A,60V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):¥2.60
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