未来的光刻工艺挑战

光刻技术是开发新型 CMOS 制造工艺中的闸控功能 (gating function)。所有半导体制造商都采用相同的光刻工具,但使用工具的方法则根据制造商的专业技术及相关要求而有所差异。在德州仪器 (TI),我们在光刻技术方面长期开展创新工作。我们的专业技能帮助我们开发了领先的工艺,为客户实现了性能、成本和功耗的最佳平衡。随着晶体管的临界尺寸越来越小,在芯片光阻材料 (photoresist) 暴露的区域上聚光也越来越难。目前的氩氟 (ArFl) 光刻工具可提供 193 nm 的波长,我们用它来刻蚀小至 37 nm 的临界尺寸——这比光波的长度小五倍。显然,我们必须严格控制临界尺寸,这样形成的