波导SOl光刻工艺特点

脊形光波导的尺寸主要是由光刻工艺决定的。光刻受周围环境、设备条件等影响较大;所以,要保证光刻工艺的质量,就需要对光刻有一个全面的认识。微电子工艺的关键尺寸(Critical Dimension)目前已经减小至65 nm,对于光波导来说已经绰绰有余了。然而对于一般的大截面脊型光波导的制作,只需采用成本较低的接触式曝光机,其分辨率一般为1 gm左右。而若制作光子线或光子晶体波导则需采用极紫外光刻机(一般波长为248 nm或193 nm),这时光学临近效应就显得重要了,通常需要较复杂的补偿技术。 对于以干涉为基础的波导器件来说,波导条宽的准确度至关重要,这直接影响着波长的准确性(如AWG等器件