电源技术中的Fairchild推出全新高效N沟道MOSFET系列产品提供高达8kV的ESD电压保护

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N沟道MOSFET系列,提供高达8kV 的ESD (HBM) 电压保护,较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用 (如笔记本电脑和手机) 的最新架构。利用飞兆半导体的Power Trench工艺,这些低导通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON) 低于5mOhm的FDS8812NZ) 能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力,确保电池组在意外的电压尖峰冲击下,系统依然安全。 FDS881XNZ系列为设计工程师提供了多