电源技术中的Zetex 推出三款N 沟道增强模式MOSFET

Zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的N 沟道增强模式 MOSFET。 这三款新产品分别为 20V 的ZXMN2B03E6 (SOT236封装)、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F(两者均为SOT23封装)。这些器件均具有1.8VGS条件下的低损耗开关功能,可以使用两个1.2V 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新 MOSFET可确保1.8VGS 条件下的导通电阻 (RDS(ON) ) 分别低于75毫欧(m?)、100毫欧(m?)和200毫欧(m?),使之在低压应用中大显身手,例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关,以