元器件应用中的安森美低压Trench MOSFET导通电阻低至150mΩ 2005

安森美半导体(ON Semiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道、低压Trench MOSFET,以扩展其沟道技术器件系列。新器件为小信号、20V MOSFET,适用于-430mA至-950mA应用,如功率负载开关、电源转换器电路和手机、数码相机、PDA、寻呼机、媒体播放器,以及便携式GPS系统中的电池管理等。 这些新型的低压MOSFET采用安森美公司的Trench技术,增大了沟道长度和等效沟道密度,同时降低了漏极和源极之间的电阻(RDS(on)),其RDS(on)范围介于150至900mΩ之间,因此可以导通更大电流。 安森美的这几款Trench MOSFET